MAT01GHZ, Биполярные транзисторы - BJT MATCHED MONOLITHIC DUAL N
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT MATCHED MONOLITHIC DUAL N
Артикул:
MAT01GHZ
Производитель:
Описание MAT01GHZ
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Ширина | 9.4 mm |
| Серия | MAT01 |
| Упаковка | Bulk |
| Вес изделия | 1 g |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 9.4 mm |
| Высота | 4.7 mm |
| Упаковка / блок | TO-78-6 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 25 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 450 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 610 |
| Непрерывный коллекторный ток | 25 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара