TGF2977-SM, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Код товара: 10082360
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
4 301,02 руб.
Нет в наличии
Описание TGF2977-SM
| Тип | GaN SiC HEMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | QFN-16 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 225 C |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | GaN SiC |
| Рабочая частота | DC to 12 GHz |
| Усиление | 13 dB |
| Упаковка | Tray |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Выходная мощность | 6 W |
| Длина | 3 mm |
| Ширина | 3 mm |
| Высота | 0.203 mm |
| Вес изделия | 57.100 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 8.4 W |
| Конфигурация | Single |
| Средства разработки | TGF2977-SMEVB1 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Тип транзистора | HEMT |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 32 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 326 mA |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 2.7 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка TGF2977-SM , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара