IXTN600N04T2, Дискретные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Код товара: 10082288
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
5 603,02 руб.
Нет в наличии
Описание IXTN600N04T2
| Вес изделия | 30 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | IXTN600N04 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | TrenchT2 GigaMOS |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227B |
| Pd - рассеивание мощности | 940 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Время спада | 250 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Выходной ток | 600 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTN600N04T2 , Дискретные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара