IXTN600N04T2, Дискретные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Name: IXTN600N04T2, Дискретные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Brand: Littelfuse
SKU: 10082288
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Дискретные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Код товара: 10082288

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IXTN600N04T2 , Дискретные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 10 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание IXTN600N04T2

Вес изделия	30 g
ECCN	EAR99
Вид монтажа	SMD/SMT
Серия	IXTN600N04
Упаковка	Tube
Тип	TrenchT2 GigaMOS
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Упаковка / блок	SOT-227B
Pd - рассеивание мощности	940 W
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Полярность транзистора	N-Channel
Время спада	250 ns
Время нарастания	20 ns
Выходной ток	600 A

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← 120070-5180 NL67C3G →