STGFW40V60DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Артикул:
STGFW40V60DF
Производитель:
Описание STGFW40V60DF
Серия | STGFW40V60DF |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Tube |
Вес изделия | 7 g |
Вид монтажа | Through Hole |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | TO-3PF |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара