SCTWA50N120, МОП-транзистор PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
Описание SCTWA50N120
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Упаковка / блок | HiP-247-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Серия | SCTWA50N120 |
Упаковка | Tube |
Технология | SiC |
Вес изделия | 6.100 g |
ECCN | EAR99 |
Коммерческое обозначение | HiP247 |
Pd - рассеивание мощности | 318 W |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 52 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 65 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Qg - заряд затвора | 122 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара