IXFP76N15T2, МОП-транзистор TRENCHT2 HIPERFET PWR МОП-транзистор 150V 76A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор TRENCHT2 HIPERFET PWR МОП-транзистор 150V 76A
Артикул:
IXFP76N15T2
Производитель:
Описание IXFP76N15T2
| Вес изделия | 350 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFP76N15 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Высота | 16 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 350 W |
| Коммерческое обозначение | TrenchT2, HiperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 76 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 97 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 19 ns |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара