IXFH20N100P, МОП-транзистор 20 Amps 1000V 1 Rds
Код товара: 10074046
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH20N100P
Вес изделия | 6.500 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Серия | IXFH20N100 |
Упаковка | Tube |
Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Высота | 21.46 mm |
Длина | 16.26 mm |
Ширина | 5.3 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 660 W |
Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 570 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
Qg - заряд затвора | 126 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 45 ns |
Время нарастания | 37 ns |
Типичное время задержки выключения | 56 ns |
Типичное время задержки при включении | 40 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFH20N100P , МОП-транзистор 20 Amps 1000V 1 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара