NTP082N65S3F, МОП-транзистор SF3 FRFET 650V 82MOHM
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NTP082N65S3F
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Коммерческое обозначение | SuperFET III |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 313 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Типичное время задержки выключения | 79 ns |
| Типичное время задержки при включении | 27 ns |
| Qg - заряд затвора | 81 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара