IXFQ60N25X3, МОП-транзистор 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class МОП-транзистор
Артикул:
IXFQ60N25X3
Производитель:
Описание IXFQ60N25X3
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | X3-Class |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 5.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Pd - рассеивание мощности | 320 W |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 50 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
| Типичное время задержки выключения | 62 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара