IXXX200N65B4, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
Артикул:
IXXX200N65B4
Производитель:
Описание IXXX200N65B4
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Вес изделия | 6.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | Trench - 650V - 1200V GenX37 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Упаковка / блок | PLUS247-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1150 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 370 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 200 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара