TC2320TG-G, МОП-транзистор N/P Ch 200 Volt
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание TC2320TG-G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Длина | 4.9 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Высота | 1.65 mm |
| Вес изделия | 85 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Время спада | 15 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 Ohms, 12 Ohms |
| Время нарастания | 15 ns |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns, 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns, 10 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара