IXFN170N30P, MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds

Код товара: 10072221

Изображения служат только для ознакомления.

Наименование:
IXFN170N30P
Производитель:

Описание IXFN170N30P

Вес изделия30 g
ECCNEAR99
Вид монтажаChassis Mount
СерияIXFN170N30
УпаковкаTube
ТипPolar Power MOSFET HiPerFET
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Упаковка / блокSOT-227-4
Высота12.22 mm
Длина38.23 mm
Ширина25.42 mm
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности890 W
Коммерческое обозначениеPolar, HiPerFET
Полярность транзистораN-Channel
Количество каналов1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток300 V
Id - непрерывный ток утечки138 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток18 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
Qg - заряд затвора258 nC
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время спада16 ns
Время нарастания29 ns
Типичное время задержки выключения79 ns
Типичное время задержки при включении41 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.57 S

Способы доставки в Калининград

Доставка IXFN170N30P , MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.