IXFN170N30P, MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds
Код товара: 10072221
Цена от:
7 424,16 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN170N30P
Вес изделия | 30 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Серия | IXFN170N30 |
Упаковка | Tube |
Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Высота | 12.22 mm |
Длина | 38.23 mm |
Ширина | 25.42 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 890 W |
Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
Id - непрерывный ток утечки | 138 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Qg - заряд затвора | 258 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 16 ns |
Время нарастания | 29 ns |
Типичное время задержки выключения | 79 ns |
Типичное время задержки при включении | 41 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 57 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFN170N30P , MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара