IXTN110N20L2, MOSFET 100Amps 200V
Код товара: 10071696
Изображения служат только для ознакомления.
Цена от:
8 311,99 руб.
Нет в наличии
Описание IXTN110N20L2
| Вес изделия | 30 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Серия | IXTN110N20 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Linear L2 Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Высота | 12.22 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Ширина | 25.42 mm |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 735 W |
| Коммерческое обозначение | Linear L2 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 500 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 135 ns |
| Время нарастания | 100 ns |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTN110N20L2 , MOSFET 100Amps 200V
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара