MRFX1K80HR5, РЧ МОП-транзисторы 65V LDMOS Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание MRFX1K80HR5
| Тип | RF Power MOSFET |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | NI-1230H-4 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | MRFX1K80 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 13.159 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 2247 W |
| Выходная мощность | 1.8 kW |
| Полярность транзистора | Dual N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 mV, 179 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 43 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 44.7 S |
| Рабочая частота | 1.8 MHz to 400 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара