IGW75N60H3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
Артикул:
IGW75N60H3
Производитель:
Описание IGW75N60H3
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | HighSpeed 3 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Pd - рассеивание мощности | 428 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 140 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара