FGH50T65SQD-F155, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
Артикул:
FGH50T65SQD-F155
Производитель:
Описание FGH50T65SQD-F155
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FGH50T65SQD |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес изделия | 6.390 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 268 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара