CSD18510KTTT, МОП-транзистор 40V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 40V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Артикул:
CSD18510KTTT
Производитель:
Описание CSD18510KTTT
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | CSD18510KTT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Qg - заряд затвора | 153 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 330 S |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара