RGTV00TS65DGC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Name: RGTV00TS65DGC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Brand: ROHM
SKU: 10065007
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Код товара: 10065007

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка RGTV00TS65DGC11 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание RGTV00TS65DGC11

Вид монтажа	Through Hole
Упаковка / блок	TO-247N-3
Минимальная рабочая температура	40 C
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Упаковка	Tube
Pd - рассеивание мощности	276 W
ECCN	EAR99
Технология	Si
Конфигурация	Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	95 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	95 A
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← JCA0324D03 SPC5604BF2VLQ4 →