MG12150S-BN2MM, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A Dual

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A Dual
Код товара: 10062848
Дата обновления: 28.02.2022 08:20
Доставка MG12150S-BN2MM , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A Dual в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание MG12150S-BN2MM

Вид монтажаChassis Mount
Упаковка / блокPackage S
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 125 C
СерияMG12150S
УпаковкаBulk
ECCNEAR99
ПродуктIGBT Silicon Modules
Вес изделия160 g
Pd - рассеивание мощности625 W
ТехнологияSi
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
КонфигурацияDual