F3L75R12W1H3_B27, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Код товара: 10062577
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
9 612,01 руб.
Нет в наличии
Описание F3L75R12W1H3_B27
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Clamp |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 24 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | EasyPack1B |
| Конфигурация | 3-Phase |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Pd - рассеивание мощности | 275 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 45 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка F3L75R12W1H3_B27 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара