FF150R12ME3G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
Артикул:
FF150R12ME3G
Производитель:
Описание FF150R12ME3G
| Серия | Trench/Fieldstop IGBT3 - E3 |
|---|---|
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Упаковка | Tray |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 17 mm |
| Длина | 152 mm |
| Ширина | 62 mm |
| Вес изделия | 345 g |
| Упаковка / блок | EconoDUAL-3 |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | EconoDUAL |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 695 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара