FF150R12ME3G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A

Код товара: 10062516

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FF150R12ME3G
Производитель:

Описание FF150R12ME3G

СерияTrench/Fieldstop IGBT3 - E3
ПродуктIGBT Silicon Modules
Вид монтажаChassis Mount
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 125 C
УпаковкаTray
ECCNEAR99
Высота17 mm
Длина152 mm
Ширина62 mm
Вес изделия345 g
Упаковка / блокEconoDUAL-3
ТехнологияSi
Коммерческое обозначениеEconoDUAL
КонфигурацияDual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Pd - рассеивание мощности695 W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C200 A
Ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V

Способы доставки в Калининград

Доставка FF150R12ME3G , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.