FF150R12ME3G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
Код товара: 10062516
Цена от:
23 679,23 руб.
Нет в наличии
Описание FF150R12ME3G
Серия | Trench/Fieldstop IGBT3 - E3 |
---|---|
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка | Tray |
ECCN | EAR99 |
Высота | 17 mm |
Длина | 152 mm |
Ширина | 62 mm |
Вес изделия | 345 g |
Упаковка / блок | EconoDUAL-3 |
Технология | Si |
Коммерческое обозначение | EconoDUAL |
Конфигурация | Dual |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Pd - рассеивание мощности | 695 W |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка FF150R12ME3G , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара