IXFN140N20P, MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
Код товара: 10059296
Цена от:
2 088,64 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN140N20P
Вес изделия | 30 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Серия | IXFN140N20 |
Упаковка | Tube |
Тип | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Высота | 12.22 mm |
Длина | 38.23 mm |
Ширина | 25.42 mm |
Конфигурация | Single Dual Source |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 680 W |
Коммерческое обозначение | PolarHT, HiPerFET |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Id - непрерывный ток утечки | 115 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Qg - заряд затвора | 240 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 90 ns |
Время нарастания | 35 ns |
Типичное время задержки выключения | 150 ns |
Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFN140N20P , MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 874 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 773 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара