IXFN210N30P3, Дискретные полупроводниковые модули N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Код товара: 10056870
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
3 925,74 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN210N30P3
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Серия | IXFN210N30 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 30 g |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 kW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 192 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 94 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFN210N30P3 , Дискретные полупроводниковые модули N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара