IXTK200N10L2, МОП-транзистор L2 Linear Power МОП-транзистор
Код товара: 10056805
Цена от:
6 054,48 руб.
Нет в наличии
Описание IXTK200N10L2
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | IXTK200N10 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Высота | 26.16 mm |
Длина | 19.96 mm |
Тип | Linear L2 Power MOSFET |
Ширина | 5.13 mm |
Вид монтажа | Through Hole |
Вес изделия | 7.500 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Коммерческое обозначение | Linear L2 |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Qg - заряд затвора | 540 nC |
Pd - рассеивание мощности | 1.04 mW |
Канальный режим | Enhancement |
Время нарастания | 225 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 27 ns |
Типичное время задержки выключения | 127 ns |
Типичное время задержки при включении | 40 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTK200N10L2 , МОП-транзистор L2 Linear Power МОП-транзистор
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара