IRF100B201, МОП-транзистор МОП-транзистор, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IRF100B201
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 10 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Высота | 15.65 mm |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Время нарастания | 97 ns |
| Время спада | 100 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 441 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 192 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 170 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 278 S |
| Типичное время задержки выключения | 110 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара