IXBH20N300, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Артикул:
IXBH20N300
Производитель:
Описание IXBH20N300
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Коммерческое обозначение | BIMOSFET |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара