IXTN62N50L, Дискретные полупроводниковые модули 62 Amps 500V
Код товара: 10053996
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
8 762,14 руб.
Нет в наличии
Описание IXTN62N50L
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Серия | IXTN62N50 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 38.23 mm |
| Ширина | 25.42 mm |
| Высота | 12.22 mm |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Linear Power MOSFET |
| Коммерческое обозначение | Linear |
| Вес изделия | 30 g |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Pd - рассеивание мощности | 800 W |
| Конфигурация | Single |
| Типичное время задержки выключения | 110 ns |
| Типичное время задержки при включении | 36 ns |
| Время спада | 75 ns |
| Время нарастания | 85 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTN62N50L , Дискретные полупроводниковые модули 62 Amps 500V
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара