Jan2N3501, Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Артикул:
Jan2N3501
Производитель:
Описание Jan2N3501
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Bulk |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 300 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара