Jan2N3700, Биполярные транзисторы - BJT BJTs
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание Jan2N3700
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 2.338 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара