IXGF32N170, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 26 Amps 1700V 3.5 V Rds

Код товара: 10051468

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IXGF32N170
Производитель:

Описание IXGF32N170

Вес изделия6 g
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
СерияIXGF32N170
УпаковкаTube
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Упаковка / блокISOPLUS i4-Pak-3
Высота21.34 mm
Длина20.29 mm
Диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Ширина5.21 mm
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности200 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C44 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.200 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Непрерывный коллекторный ток44 A

Способы доставки в Калининград

Доставка IXGF32N170 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 26 Amps 1700V 3.5 V Rds в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.