IXGF32N170, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
Код товара: 10051468
Цена от:
2 725,33 руб.
Нет в наличии
Описание IXGF32N170
Вес изделия | 6 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Серия | IXGF32N170 |
Упаковка | Tube |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | ISOPLUS i4-Pak-3 |
Высота | 21.34 mm |
Длина | 20.29 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Ширина | 5.21 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.7 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 44 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 200 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Непрерывный коллекторный ток | 44 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXGF32N170 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара