IXFX200N10P, МОП-транзистор 200 Amps 100V 0.0075 Rds
Код товара: 10051456
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
2 916,01 руб.
Нет в наличии
Описание IXFX200N10P
| Серия | IXFX200N10 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Tube |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 38 g |
| Длина | 16.13 mm |
| Ширина | 5.21 mm |
| Высота | 21.34 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 235 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 90 ns |
| Время нарастания | 35 ns |
| Типичное время задержки выключения | 150 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFX200N10P , МОП-транзистор 200 Amps 100V 0.0075 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара