IXFR44N80P, МОП-транзистор DIODE Id26 BVdass800
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXFR44N80P
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | IXFR44N80 |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 5.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 200 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 21.34 mm |
| Длина | 16.13 mm |
| Ширина | 5.21 mm |
| Тип | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 27 S |
| Время спада | 27 ns |
| Время нарастания | 22 ns |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара