IXFR44N80P, МОП-транзистор DIODE Id26 BVdass800

Код товара: 10050998

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IXFR44N80P
Производитель:

Описание IXFR44N80P

Количество каналов1 Channel
Упаковка / блокTO-247-3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
СерияIXFR44N80
УпаковкаTube
Pd - рассеивание мощности300 W
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Вес изделия5.300 g
ECCNEAR99
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Id - непрерывный ток утечки25 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Qg - заряд затвора200 nC
Канальный режимEnhancement
КонфигурацияSingle
Высота21.34 mm
Длина16.13 mm
Ширина5.21 mm
ТипPolarHV HiPerFET Power MOSFET
Тип транзистора1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.27 S
Время спада27 ns
Время нарастания22 ns
Типичное время задержки выключения75 ns
Типичное время задержки при включении28 ns

Способы доставки в Калининград

Доставка IXFR44N80P , МОП-транзистор DIODE Id26 BVdass800 в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.