IXFR44N80P, МОП-транзистор DIODE Id26 BVdass800
Код товара: 10050998
Цена от:
1 920,66 руб.
Нет в наличии
Описание IXFR44N80P
Количество каналов | 1 Channel |
---|---|
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | IXFR44N80 |
Упаковка | Tube |
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Вес изделия | 5.300 g |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Вид монтажа | Through Hole |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Qg - заряд затвора | 200 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Высота | 21.34 mm |
Длина | 16.13 mm |
Ширина | 5.21 mm |
Тип | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 27 S |
Время спада | 27 ns |
Время нарастания | 22 ns |
Типичное время задержки выключения | 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFR44N80P , МОП-транзистор DIODE Id26 BVdass800
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара