APT30M85BVRG, МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS5
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT30M85BVRG
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Длина | 21.46 mm |
| Ширина | 16.26 mm |
| Высота | 5.31 mm |
| Коммерческое обозначение | Power MOS V |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Время спада | 7 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
| Время нарастания | 10 ns |
| Типичное время задержки выключения | 43 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 130 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара