ARF466BG, РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание ARF466BG
| Выходная мощность | 300 W |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 357 W |
| Рабочая частота | 45 MHz |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.3 mS |
| Усиление | 16 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара