FS150R12KE3, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A FL BRIDGE
Код товара: 10043268
Цена от:
26 052,51 руб.
Нет в наличии
Описание FS150R12KE3
Продукт | IGBT Silicon Modules |
---|---|
Вид монтажа | Chassis Mount |
Упаковка | Tray |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Длина | 35.6 mm |
Ширина | 25.4 mm |
Высота | 12 mm |
Упаковка / блок | EconoPACK |
Конфигурация | Hex |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Pd - рассеивание мощности | 700 W |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 205 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка FS150R12KE3 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A FL BRIDGE
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара