FP75R12KT4, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM
Артикул:
FP75R12KT4
Производитель:
Описание FP75R12KT4
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | Econo 3 |
| Конфигурация | 3-Phase |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 385 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.25 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара