APT100GT120JRDQ4, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT100GT120JRDQ4
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 570 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 123 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара