FF900R12IP4D, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A

Name: FF900R12IP4D, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A
Brand: Infineon Technologies
SKU: 10038033
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A

Код товара: 10038033

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FF900R12IP4D , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание FF900R12IP4D

Продукт	IGBT Silicon Modules
Вид монтажа	Chassis Mount
Упаковка	Tray
Вес изделия	825 g
ECCN	EAR99
Минимальная рабочая температура	40 C
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Длина	172 mm
Ширина	89 mm
Высота	38 mm
Упаковка / блок	PRIME2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	900 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← 7201L1D9V3BE 01002-10244 →