IXFX26N120P, МОП-транзистор 32 Amps 1200V 0.46 Rds
Код товара: 10037297
Цена от:
4 054,10 руб.
Нет в наличии
Описание IXFX26N120P
Тип | Polar HiPerFET Power MOSFET |
---|---|
Упаковка | Tube |
Серия | IXFX26N120 |
Вес изделия | 1.600 g |
ECCN | EAR99 |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Длина | 16.13 mm |
Количество каналов | 1 Channel |
Высота | 21.34 mm |
Ширина | 5.21 mm |
Pd - рассеивание мощности | 960 W |
Технология | Si |
Время спада | 58 ns |
Время нарастания | 55 ns |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
Qg - заряд затвора | 255 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 76 ns |
Типичное время задержки при включении | 56 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFX26N120P , МОП-транзистор 32 Amps 1200V 0.46 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара