IXFN32N100P, Дискретные полупроводниковые модули 32 Amps 1000V 0.32 Rds
Код товара: 10036405
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
4 388,15 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN32N100P
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | IXFN32N100 |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 690 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 27 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 320 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 12.22 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Ширина | 25.42 mm |
| Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Время спада | 43 ns |
| Время нарастания | 55 ns |
| Типичное время задержки выключения | 76 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFN32N100P , Дискретные полупроводниковые модули 32 Amps 1000V 0.32 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 635 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2224 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
Почта России
от 10 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 6 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара