FF200R12KT3, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A
Код товара: 10032671
Цена от:
26 573,43 руб.
Нет в наличии
Описание FF200R12KT3
Продукт | IGBT Silicon Modules |
---|---|
Вид монтажа | Chassis Mount |
Упаковка | Tray |
Вес изделия | 340 g |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Длина | 106.4 mm |
Ширина | 61.4 mm |
Высота | 30.9 mm |
Упаковка / блок | 62 mm |
Конфигурация | Dual |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 295 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка FF200R12KT3 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара