APTM20AM04FG, Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Описание APTM20AM04FG
Вид монтажа | Screw Mount |
---|---|
Длина | 108 mm |
Ширина | 62 mm |
Высота | 21.9 mm |
Коммерческое обозначение | POWER MOS 7 |
Вес изделия | 110 g |
ECCN | EAR99 |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SP-6 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Время спада | 116 ns |
Id - непрерывный ток утечки | 372 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
Время нарастания | 64 ns |
Типичное время задержки выключения | 88 ns |
Типичное время задержки при включении | 32 ns |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара