APTM20AM04FG, Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Код товара: 10031713
Дата обновления: 28.02.2022 08:20
Доставка APTM20AM04FG , Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание APTM20AM04FG

Вид монтажаScrew Mount
Длина108 mm
Ширина62 mm
Высота21.9 mm
Коммерческое обозначениеPOWER MOS 7
Вес изделия110 g
ECCNEAR99
ПродуктPower MOSFET Modules
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура40 C
УпаковкаTube
Упаковка / блокSP-6
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности1.25 kW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораN-Channel
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Время спада116 ns
Id - непрерывный ток утечки372 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4 mOhms
Время нарастания64 ns
Типичное время задержки выключения88 ns
Типичное время задержки при включении32 ns
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V