IXTA6N50D2, МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 6A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTA6N50D2
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | IXTA6N50 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Depletion Mode MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 9.65 mm |
| Ширина | 10.41 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 96 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 43 ns |
| Время нарастания | 72 ns |
| Типичное время задержки выключения | 82 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.8 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара