APTGT100DA60T1G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APTGT100DA60T1G
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Вес изделия | 80 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SP1-12 |
| Pd - рассеивание мощности | 340 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара