APT33GF120BRG, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
Код товара: 10022427
Цена от:
1 605,22 руб.
Нет в наличии
Описание APT33GF120BRG
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Длина | 21.46 mm |
Ширина | 16.26 mm |
Высота | 5.31 mm |
Вес изделия | 38 g |
ECCN | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Pd - рассеивание мощности | 297 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 52 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 52 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 52 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка APT33GF120BRG , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара