Jantx2N2219AL, Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Артикул:
Jantx2N2219AL
Производитель:
Описание Jantx2N2219AL
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | TO-5-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 325 at 1 mA at 10 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 at 1 mA at 10 VDC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара