IXTP50N25T, МОП-транзистор 50 Amps 250V 50 Rds
Код товара: 10021032
Цена от:
506,72 руб.
Нет в наличии
Описание IXTP50N25T
Серия | IXTP50N25 |
---|---|
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Вес изделия | 2.300 g |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Упаковка | Tube |
Pd - рассеивание мощности | 400 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Qg - заряд затвора | 78 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTP50N25T , МОП-транзистор 50 Amps 250V 50 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара