CSD19538Q3AT, МОП-транзистор 100V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор 8-VSONP -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 100V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор 8-VSONP -55 to 150
Артикул:
CSD19538Q3AT
Производитель:
Описание CSD19538Q3AT
| Серия | CSD19538Q3A |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 3.15 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.9 mm |
| Ширина | 3 mm |
| Упаковка / блок | VSONP-8 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 61 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.2 V |
| Qg - заряд затвора | 4.3 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 2 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара