Jan2N2905, Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Артикул:
Jan2N2905
Производитель:
Описание Jan2N2905
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 1 mA at 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 1 mA at 10 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара