BSM600D12P3G001, Дискретные полупроводниковые модули 1200V 576A HALF BRIDGE SIC
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Дискретные полупроводниковые модули 1200V 576A HALF BRIDGE SIC
Артикул:
BSM600D12P3G001
Производитель:
Описание BSM600D12P3G001
| Вид монтажа | Screw Mount |
|---|---|
| Упаковка / блок | Module |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 513.155 g |
| ECCN | EAR99 |
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 1570 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 358 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 18 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.6 V |
| Время спада | 55 ns |
| Время нарастания | 55 ns |
| Типичное время задержки выключения | 240 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара